Caracterisation de couches minces destinees a l'optoelectronique a base de selenium et de poly(n-vinylcarbazole)

par SAAD TOUIHRI

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de J.-C. BERNEDE.

Soutenue en 1996

à Nantes .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    L'application de couches superposees selenium amorphe (se-a) / poly(n-vinylcarbazole) (pvk) est envisageable dans le domaine de la xerographie. A cette fin les proprietes du pvk dope par un halogene et les contacts metal / se-a ont ete etudies. Dans un premier temps les proprietes du pvk en poudre dope par un halogene (i, br, cl) sont etudiees. Il est montre que si un sel complexe a transfert de charge est obtenu dans tous les cas, celui qui est obtenu avec l'iode est le plus interessant car il ne detruit pas le polymere. Il peut etre stabilise par traitement thermique a 373 k. Des couches minces de pvk post-dopees a l'iode ont alors ete realisees. Leurs proprietes sont comparees a celles de couches obtenues a partir d'une poudre predopee. Il est montre que la quantite d'iode present dans les couches est plus elevee quand elles sont post-dopees. De plus leur morphologie est beaucoup plus homogene et reproductible. Sous champ eleve leur conductivite est dominee par effet poole-frenkel. A la temperature ambiante leur conductivite est de l'ordre de 10#-#6 ( cm)#-#1 tandis que le complexe i#- pvk#+ les rend absorbantes dans le visible ce qui fait qu'elles sont applicables a la xerographie. Parallelement une etude a ete menee sur les contacts m/se-a (m=al, au, cr, sno#2) et m/pvk/se-a. Il est montre que seul le contact al/se-a donne un effet redresseur avec des caracteristiques reproductibles. Ces caracteristiques sont obtenues apres formation electrique ou thermique qui permet d'amplifier puis de stabiliser l'effet redresseur. Il est montre par xps que le processus de formation correspond a une interdiffusion al/se dans la zone ou l'alumine est present. Plus precisement l'xps montre que la structure de l'oxyde d'aluminium est complexe. Probablement cet oxyde reagit avec le selenium amorphe pour donner le contact redresseur en neutralisant un certain nombre de defauts presents dans la bande interdite du selenium. Les caracteristiques i-v des structures al/se-a ne suivent pas les lois classiques des diodes schottky il est propose que le piegeage de porteurs majoritaires a l'interface al/oxyde, modifie la hauteur de barriere lors de l'application de la tension


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Informations

  • Détails : 150 P.
  • Annexes : 100 REF.

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  • Bibliothèque : Université de Nantes. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 96 NANT 2042
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