Contribution à la caractérisation des diodes Schottky oxydées : application au phosphure d'indium

par Khaled Boulkroun

Thèse de doctorat en Plasma-opto-électronique

Sous la direction de Serge Ravelet.

Soutenue en 1996

à Nancy 1 , en partenariat avec Université Henri Poincaré Nancy 1. Faculté des sciences et techniques (autre partenaire) .

mots clés

• Étude expérimentale
• Caractérisation
• Diode barrière Schottky
• Structure MIS
• Oxydation
• Composé III-V
• Indium phosphure compose binaire
• Caractéristique électrique
• Caractéristique courant tension
• Résistance série
• Idéalité
• Diodes à barrière de Schottky
• Semiconducteurs
• MIS (électronique)

Résumé

L’action de l'interface isolant-(n) InP dans les structures Schottky-MIS ou l'isolant est un oxyde formé dans un plasma multi-polaire d'oxygène est examinée. L’étude est essentiellement assurée par des méthodes de caractérisation électrique développées afin de tenir compte de l'aspect non idéal de ces structures. Une meilleure compréhension des phénomènes de transport, très variés dans ces structures, est acquise à l'aide des mesures électriques I(V), C(V) et la conductance à différentes températures. Des corrélations sont établies entre les différents paramètres de la structure (facteur d'idéalité, densité d'états d'interface, résistance série, hauteur de la barrière,) et les mécanismes de conduction a l'interface et dans la couche d'oxyde. La distribution de la densité d'état d'interface des structures MIS est évaluée par différentes méthodes (Terman, DLTS et conductance) afin de les comparer et d'en établir éventuellement une certaine complémentarité.

Titre traduit

Characterization of InP Schottky diodes in presence of interfacial oxide layer

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