Caractérisation capacitive d'hétérostructures à base de composés semiconducteurs III-V

par Jamal Rahmouni

Thèse de doctorat en Milieux denses et matériaux

Sous la direction de G. BASTIDE.

Soutenue en 1996

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    Nous presentons, a partir de mesures capacitives, des methodes de determination des discontinuites de bandes de conductions et des densites surfaciques de defauts aux interfaces des heterostructures. Notre demarche consiste a ne pas fitter les courbes experimentales et, en adoptant quelques hypotheses simplificatrices, de donner des expressions facilement exploitables de ces parametres. Dans ce travail nous appliquons cette demarche a differentes categories d'heterostructures: heterojonctions, puits quantiques simples, multipuits quantiques. Dans ce dernier cas, une separation des courants thermoionique et tunnel dans la reponse dlts en a permis une approche tres simple

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