Modélisation non-linéaire de transistors microondes : Application à la conception d'amplicateurs de puissance en technologie M.M.I.C

Nonlinear modelling of microwave transistors : appication to the CAD of MMIC power amplifiers

• Auteur / Autrice : Jean-Pierre Viaud
• Direction : Raymond Quéré
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1996
• Etablissement(s) : Limoges
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Limoges. Faculté des sciences et techniques

Mots clés

Mots clés contrôlés

Circuits intégrés

Amplificateurs de puissance

Modèles mathématiques

Résumé

Le travail presente dans ce memoire concerne la modelisation non lineaire des transistors microondes, appliquee a la conception d'amplificateurs de puissance en technologie mmic dans le domaine des hyperfrequences. Apres un rapide tour d'horizon des transistors de puissance utilisables aux frequences microondes, nous presentons un equipement de test, base sur la technique de mesures en impulsions. Cette methode de caracterisation permet d'obtenir avec precision les evolutions non lineaires des caracteristiques electriques des transistors microondes. Ensuite, la modelisation non lineaire des transistors a effet de champ et des transistors bipolaires a heterojonction est traitee d'une maniere detaillee dans ce memoire. Nous trouverons entre autres, une etude des non linearites des transistors en fonction des commandes appliquees, ainsi que differentes methodes pour la recherche et l'obtention des parametres d'un modele, appliquees a chaque type de transistor. Les differentes etapes de conception d'un amplificateur distribue large bande a tbh sont presentees. Cet amplificateur a ete optimise en puissance dans la bande de frequence 2-8 ghz, a partir des modeles non lineaires mis au point dans ce memoire, et a fourni une puissance de sortie de 27. 5 dbm