Modélisation des transistors Mosfets pour les applications RF de puissance

par Juan-Mari Collantes

Thèse de doctorat en Communications optiques et micro-ondes

Sous la direction de Raymond Quéré et de J.-P. VILLOTTE.


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  • Résumé

    L'objectif de ce travail a ete le developpement d'un modele electrique non lineaire des transistors mosfet pour des applications de puissance dans le domaine des radiofrequences. Notre demarche de modelisation est fondee sur une caracterisation precise et coherente du composant. Ainsi, cette caracterisation est constituee de mesures convectives i-v et de mesures de parametres s, effectuees sous-conditions pulsees et comprenant tout le domaine de fonctionnement. La complexite du fonctionnement large-signal du mosfet est prise en compte par l'utilisation de quatre non linearites (une source de courant et trois capacites intrinseques) dependant des deux tensions de commande. La modelisation de ces non linearites est realisee de maniere individuelle par une representation tabulaire a l'aide des b-splines bicubiques. Une validation exhaustive du modele non lineaire est developpee pour un transistor ldmos. Cette validation est fondee sur la caracterisation experimentale fort-signal du composant a l'aide d'un systeme de mesure du type load-pull. Elle comprend toutes les conditions de fonctionnement correspondant aux applications courantes du transistor

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Informations

  • Détails : 177 p

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  • Bibliothèque : Université de Limoges (Section Sciences et Techniques). Service Commun de la documentation.
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