Modèle "distribué" de transistor IGBT pour simulation de circuits en électronique de puissance

par Jean-Luc Debrie

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Philippe Leturcq.

Soutenue en 1996

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    L'equation de diffusion ambipolaire, qui decrit la dynamique distribuee des charges dans les bases des composants bipolaires, peut etre resolue par le biais d'une analogie electrique. La these presente les fondements theoriques et la pratique de la nouvelle approche de modelisation ainsi permise, dans le cas representatif des transistors bipolaires a commande isolee (igbt). Les divers types d'igbt, a base homogene ou a couche tampon, sont pris en consideration. Le modele est valide d'un point de vue physique, les parametres de simulation etant extraits des donnees de structure et de technologie concernant les composants etudies. L'accord obtenu entre caracteristiques calculees et mesurees montre la pertinence de l'approche pour des objectifs de simulation des interactions composant-circuit en electronique de puissance.

  • Titre traduit

    Distributed model of the insulated-gate-bpolar-transistor for circuit simulation in power electronics


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  • Cote : 1996/388/DEB
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