Rôle des défauts End-Of-Range dans la diffusion anormale du bore

par Caroline Bonafos

Thèse de doctorat en Physique de la matière

Sous la direction de Alain Claverie.

Soutenue en 1996

à Toulouse, INSA .


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  • Résumé

    Dans la fabrication de transistors cmos de taille submicronique, le bore est utilise comme dopant de la source et de la grille. Pour realiser des jonctions p+n inferieures a 100 nm, il faut implanter le bore a des energies de l'ordre de quelques kev. Pendant le recuit necessaire a son activation, de nombreux effets typiques de situations hors equilibre apparaissent tels la formation de defauts etendus, ainsi que la diffusion anormale du dopant, qui doit etre prise en compte dans la prediction des profils de dopant. Un premier volet de ce travail est consacre a etablir le lien entre les defauts end-of-range (eor), et la diffusion anormale des dopants. Pour cela, une etude quantitative rigoureuse de la croissance des eor a ete menee experimentalement par microscopie electronique en transmission. L'evolution au cours du recuit des parametres caracteristiques de la population de defauts a ete comparee aux resultats de la theorie d'ostwald ripening qu'il a fallu adapter a la geometrie des boucles de dislocation. Cette etude a permis d'etablir que les defauts eor et la diffusion anormale sont la consequence de l'evolution au cours du recuit de la sursaturation en si interstitiels. Le second volet consiste en l'etude de l'effet d'impuretes (le bore, le carbone et le fluor) sur les cinetiques de croissance des defauts eor, afin d'elucider les anomalies de diffusion dont elles sont a l'origine

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Informations

  • Détails : [7]-184 f

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1996/369/BON
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