Developpement des methodes de mesures en hyperfrequences sur tranches de silicium et application a la caracterisation des technologies cmos et bicmos sub-microniques

par JEAN-LOUIS CARBONERO

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de B. CABON.

Soutenue en 1996

à l'INP GRENOBLE .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    La reduction spectaculaire des dimensions des transistors bipolaires et mosfet en technologies cmos et bicmos s'est accompagnee d'une croissance des densites d'integration et surtout d'une augmentation tout aussi spectaculaire des performances de ces transistors. Des frequences de transition de 20 ghz sont aujourd'hui atteintes pour des technologies silicium sub-microniques en phase industrielle. Ces technologies sont appelees a jouer un role important pour la realisation de circuits integres radiofrequences et hyperfrequences. En raison des performances dynamiques toujours plus grandes de ces transistors, les mesures de parametres s et du facteur de bruit, dans le domaine des hyperfrequences ont ete introduites pour le developpement de ces nouvelles technologies et la construction des modeles de dispositifs passifs et actifs, indispensables a la conception des circuits integres analogiques hyperfrequences. Les methodes de mesures hyperfrequences, realisees a l'aide d'analyseurs vectoriels de reseaux, et de caracterisation du facteur de bruit des transistors sont presentees dans une approche de test industriel. Les etapes de mesure, de calibrage et de correction, specifiquement appliquees a la caracterisation des technologies cmos et bicmos sur tranche de silicium, ont ete automatisees et decrites ainsi que les outils necessaires a cette caracterisation. Les resultats d'extraction des frequences de transition, des frequences maximales d'oscillation et des parametres de modeles des dispositifs actifs tels que les transistors bipolaires et mosfet, mais aussi les resultats de caracterisation d'elements passifs tels que les inductances ou les lignes de transmission sont presentes pour les technologies avancees cmos et bicmos 0,7 et 0,5 um


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  • Détails : 1 vol. (248 p.)
  • Annexes : 240 REF.

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