Etude des proprietes de siliciures semiconducteurs en couches minces

par IYAD ALI

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de P. MURET.

Soutenue en 1996

à Grenoble 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Nous nous sommes interesses a l'elaboration et a l'etude de films minces de siliciures de fer ou de rhenium semiconducteurs sur un substrat de silicium monocristallin. Un certain nombre de caracterisations physico-chimiques, structurales et optiques ont ete effectuees pour s'assurer de la qualite, de la composition et de la nature semiconductrice des echantillons. Au moyen de mesures photoelectriques, nous avons etudie des phenomenes de photo-emission interne dans des heterojonctions siliciure-silicium. Cette etude a permis d'analyser les mecanismes de transport mis en jeu et de proposer des diagrammes de bandes pour quelques heterojonctions siliciure-silicium. Nous avons essaye d'optimiser les conditions d'elaboration de facon a diminuer le dopage residuel et a augmenter la mobilite des porteurs. Nous avons obtenu des siliciures en couches minces sur silicium dont les caracteristiques sont a la hauteur de celles des meilleurs monocristaux, eux-memes assez rares et generalement de dimensions millimetriques


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Informations

  • Détails : 198 P.
  • Annexes : 114 REF.

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