Etude femtoseconde de la thermalisation des porteurs libres dans l'arseniure de gallium

par PIERRE LANGOT

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de F. VALLEE.

Soutenue en 1996

à l'EP .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail porte sur l'etude des interactions porteur-porteur et porteur-phonon dans l'arseniure de gallium par des techniques pompe-sonde de saturation d'absorption femtoseconde a haute sensibilite. Pour cela, une source femtoseconde a deux couleurs a ete developpee par conversion de frequence non-lineaire des impulsions fournies par un oscillateur femtoseconde a saphir dope titane. Nous avons tout d'abord etudie les mecanismes d'interaction des trous libres dans l'asga. Les mesures realisees sur l'echauffement de trous froids en fonction de la densite de porteurs photo-generes, de leur exces d'energie initial et de la temperature du reseau nous ont permis de mesurer directement le temps d'interaction trou-phonon et d'en deduire le potentiel de deformation optique. Une etude sur le ralentissement de la thermalisation electron-reseau du a la creation d'une population de phonons hors equilibre en centre de zone de brillouin est ensuite presentee. Les differentes mesures que nous avons realisees nous ont permis de demontrer que la thermalisation electrons-reseau aux temps longs est gouvernee par la duree de vie des phonons optiques, en accord avec un modele de simulations numeriques


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Informations

  • Détails : 219 P.
  • Annexes : 168 REF.

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  • Bibliothèque : Ecole nationale supérieure de sciences appliquées et de technologie. Bibliothèque.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : P 6. LAN.
  • Bibliothèque : École polytechnique. Bibliothèque Centrale.
  • Accessible pour le PEB
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