Ellipsometrie spectroscopique. Application a la caracterisation de silicium poreux

par ABDELJALIL YASSFY

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Robert Cadoret.

Soutenue en 1996

à Clermont-Ferrand 2 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    L'ellipsometrie est une methode optique, non destructive de caracterisation de materiaux. Elle est utilisable dans le cas d'heterostructures obtenues sur des substrats semiconducteurs, mais necessite une modelisation. La variation des parametres introduits dans le modele, jusqu'a minimisation d'une fonction d'erreur comparant ce modele aux mesures realisees, conduit a la connaissance des constantes dielectriques et des epaisseurs des diverses couches. Nous avons choisi de mettre au point un minimiseur b. F. G. S. Avec contraintes permettant de limiter la variation des parametres dans des domaines physiquement acceptables, et de calculer a l'aide d'un algorithme base sur la methode de l'adjoint le gradient de la fonction a coefficients complexes a minimiser. Le programme informatique est teste sur des modeles simules de materiaux iii-v, substrat inp ou puits quantiques inp/inas/inp. Nous avons utilise un ellipsometre spectroscopique a analyseur tournant pour caracteriser des echantillons de silicium poreux obtenus sur substrats dopes p et p+. Nos resultats mettent en evidence l'existence d'une couche tapissant les parois des pores sur toute l'epaisseur de la couche, dans le cas des substrats p. Ils ont egalement confirme l'action uniquement superficielle d'un bombardement a l'argon sous ultra-vide, et la reduction du squelette de silicium consecutive au vieillissement, surtout dans le cas du substrat p


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  • Détails : 131 P.
  • Annexes : 52 REF.

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