Contribution a l'etude de l'emetteur polycristallin du transistor bipolaire dans un procede bicmos haute-frequence

par ALAIN MORETTO

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de R. CARIN.

Soutenue en 1996

à Caen .

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  • Résumé

    La technologie bicmos combine, sur un meme cristal, des transistors mos et bipolaires destines a des applications mixtes numeriques et analogiques rapides. Elle fait intervenir des transistors bipolaires a emetteur polycristallin dont l'emetteur est compose d'une couche de silicium polycristallin de contact, d'une zone active monocristalline et d'une couche interfaciale d'oxyde. Notre etude est axee sur l'importance de la mince couche d'oxyde a l'interface poly/mono: sa presence est indispensable pour fournir un produit gain en courant x potentiel de early performant ; en revanche, son epaisseur doit etre limitee pour eviter des consequences nefastes (resistance d'acces a l'emetteur trop elevee, reponse en frequence trop limitee). Dans un premier temps, quelques elements de la physique des transistors bipolaires sont presentes puis nous rappelerons les etapes technologiques de fabrication en mettant en evidence les liens avec les performances electriques du transistor submicronique. L'etude de la couche d'oxyde est menee de facon originale grace a l'utilisation de differentes approches complementaires et convergentes (microscopie electronique, modelisation et simulation de la resistance d'emetteur, mesures statiques, dynamiques et en bruit). En outre, l'analyse des differentes contributions au temps du vol des porteurs dans le transistor permet de montrer l'importance relative de l'emetteur polycristallin (environ 30% avec une epaisseur d'oxyde aussi mince que 8 a)


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Informations

  • Détails : 204 P.
  • Annexes : 153 REF.

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