Détection et caractérisation électrique de précipités dans le silicium par des techniques non destructrices (FTIR, MIRB, LBIC,. . . )

par Caroline Veve

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Santo Martinuzzi.

Soutenue en 1996

à Aix-Marseille 3 .

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  • Résumé

    Dans le cadre de l'etude des precipites dans le silicium monocristallin, nous avons etudie en particulier ceux lies a l'oxygene. Differents types de traitements thermiques ont ete appliques au materiau dans le but de creer des centres de nucleation et des precipites d'oxygene, et de pouvoir les observer. Deux techniques non destructrices ont ete essentiellement utilisees: le microscope infrarouge a balayage (mirb) et la cartographie de photocourant et de longueur de diffusion des porteurs minoritaires (lbic). Nous avons montre que des precipites de sio#x sont detectables par mirb, d'autant plus qu'ils sont decores par des impuretes metalliques. Les precipites ont sans doute une activite electrique recombinante par l'interface si-sio#x, mais surtout par des defauts cristallographiques etendus qui leur sont associes. Une injection d'auto interstitiels de silicium permet de resorber les precipites detectes, mais bien sur pas les defauts etendus et de ce fait, des traitements de restauration du materiau (effet getter externe par diffusion de phosphore ou oxydation de surface) se revelent inoperants. Une contamination metallique des precipites ne fait qu'aggraver la degradation des proprietes electriques du materiau

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Informations

  • Détails : 155 p.

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  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. Saint-Jérôme). Service commun de la documentation. Bibliothèque de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T 2374/A-B
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