Structure de defauts dans inp irradie caracterisee par annihilation du positon

par MARTIN TORNQVIST

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de C. CORBEL.

Soutenue en 1995

à Paris 11 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Les defauts de structure jouent un role fondamental dans les proprietes electroniques et optiques des semiconducteurs. Les techniques d'annihilation du positon permettent de caracteriser les defauts ponctuels dans les solides. Dans ce travail nous utilisons le temps de vie du positon et l'elargissement doppler de la raie d'annihilation du positon pour caracteriser les etats d'annihilation du positon, delocalise dans le reseau ou localise dans un defaut dans inp irradie. Apres irradiation a 2,0 mev et recuit a 80 k, le temps de vie du positon dans inp non dope, inp(s), inp(fe) et inp(zn) indique l'introduction de defauts lacunaires. Dans inp non dope irradie a 2,0 mev et recuit a 80 k nous observons l'introduction de lacunes d'indium negativement chargees et des ions negatifs. Ces ions negatifs ont la caracteristique particuliere d'une fraction d'annihilations de cur plus elevee que dans le reseau, et nous les avons tentativement attribues aux interstitiels de phosphore. Les lacunes d'indium se recuisent entre 200 k et 270 k suivant des conditions d'irradiation. Dans inp(s) irradie a 2,0 mev, les lacunes d'indium recuisent dans un stade abrupt centre a 180 k. Apres irradiation a 2,0 mev ou a 260 kev et recuit a 300 k, on observe un autre signal attribue aux lacunes de phosphore. Ces lacunes sont visibles quand le niveau de fermi est resonant dans la bande de conduction. Apres irradiation a 260 kev les lacunes de phosphore recuisent entre 290 k et 310 k. Dans inp(fe) et inp(zn) irradie a 2,0 mev et recuit a 80 k on observe des lacunes d'indium qui se recuisent dans deux stades centres a 200 k et a 250 k. Dans ces echantillons les accepteurs fe et zn natifs sont des ions negatifs qui piege le positon. En conclusion, cette etude par annihilation du positon montre que les stades de recuit de lacunes d'indium dependent du dopage et des conditions d'irradiation. Elle indique aussi que les taux d'introduction de defauts dependent du dopage


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 263 P.
  • Annexes : 157 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-012357
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.