Etude de nouveaux precurseurs pour l'epitaxie par jets chimiques

par BRUNO LAMARE

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Y. MONTEIL.

Soutenue en 1995

à Paris 6 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Les sources d'hydrures (arsine et phosphine) utilisees en epitaxie presentent des risques aussi bien pour ses utilisateurs que pour son environnement. Ce travail a porte sur l'etude des substituts d'hydrures d'element v, le trisdimethylaminoarsenic (tdmaas) et le tertiarybutylphosphine (tbp), pour la realisation de tbh gaas/gainp en epitaxie par jets chimiques (ejc). La croissance, avec ces nouvelles sources, des differents materiaux intervenant dans la structure de ce composant a ete etudiee. L'utilisation du tbp a necessite la conception d'un injecteur haute temperature, specialement adapte au craquage thermique de cette molecule. Le tdmaas a permis, tout comme l'arsine, d'obtenir des couches de gaas pures ou dopees carbone (p=4x10#1#9 cm#-#3) lorsqu'il est associe respectivement au triethylgallium (tega) ou au trimethylgallium (tmga). Ce resultat original leve la seule reserve liee a l'utilisation du tdmaas, qui presente, par ailleurs de nombreux avantages par rapport a l'arsine: pas de precraquage thermique a haute temperature, des faibles pics de contamination d'interface, un effet de gravure qui permet une desoxydation a basse temperature (400c), une plus faible pression de la chambre pendant la croissance. La croissance avec ces sources, des alliages ga#l#-#xin#xas et ga#l#-#xin#xas#yp#l#-#y a ete etudiee. Les premiers resultats obtenus montrent des perspectives interessantes en vue de la realisation, a partir de ces sources, de materiaux pour l'optoelectronique. L'etude des dopants gazeux de silicium (type n) montre des phenomenes d'effet memoire qui ne sont pas encore maitrises. Pour la source de carbone, le tetrabromure de carbone (cbr#4) permet un dopage de type p (5x10#1#9 cm#-#3) dans ga#0#. #4#7in#0#. #5#3as, ce qui a permis la premiere realisation de tbh inp/gainas a base dopee carbone. Des tbh gaas/gainp realises a partir de ces sources sont a l'etat de l'art pour des structures realisees par une technique d'ejc sans hydrures. L'utilisation de ces sources permet d'envisager une simplification de l'equipement de l'ejc qui etait a present trop complexe pour envisager un developpement industriel


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 184 P.
  • Annexes : 86 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1995
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.