Etude du bruit de fond basse-fréquence de 1 Hz à 100 kHz et haute-fréquence de 50 MHz à 4 GHz en régime de porteurs chauds dans des structures n+nn+AlxGa1-xAs

par Edwis Richard

Thèse de doctorat en Électronique, optronique et systèmes

Sous la direction de Mario de Murcia.

Soutenue en 1995

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    Ce memoire rend compte d'une etude experimentale du bruit de fond dans l'alliage al#xga#1#-#xas pour des taux d'aluminium x compris entre 15 et 30%. Nous y abordons autant le bruit de fond basses frequences dans la gamme 1 hz-100 khz que celui observe a plus hautes frequences entre 50 mhz-4 ghz en regime de porteurs chauds. Les resultats obtenus en basses frequences ont montre l'evolution avec x des differentes sources de bruit et en particulier l'evolution du bruit de generation-recombinaison associe aux centres dx. L'analyse du bruit de g-r avec la temperature, a permis de preciser l'energie de capture et d'emission de ces centres responsables de la deterioration des performances des composants. Dans le domaine des hautes frequences, nous avons presente une methode experimentale permettant d'evaluer et de s'affranchir des effets thermiques au cours de mesures de temperature de bruit. Ces dernieres ont permis de preciser l'evolution du coefficient de diffusion avec le champ electrique et ont montre une croissance du champ de seuil de transfert intervallee avec le taux d'aluminium. Compte tenu de la large utilisation de ce materiau dans le domaine de l'electronique hyperfrequence, nous pensons que ce travail peut apporter un certain nombre d'elements permettant de mieux comprendre l'evolution du transport avec le taux d'aluminium et le champ electrique dans cet alliage et par voie de consequence dans le composant

  • Titre traduit

    Study of low frequency noise (1 hz to 100 khz) and high frequency noise (50 mhz to 4 ghz) in hot-carrier regime in n#+nn#+ al#xga#1#-#xas devices


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  • Détails : v, 137, vi p
  • Annexes : Bibliogr.: p. i-vi "in fine

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