Mise au point du procédé d'élaboration par M. O. V. P. E. De matériaux semiconducteurs et d'hétérostructures III-V basées sur GaAs, Ga(1-x)Al(x)As, Ga(1-x)In(x)As

par Odile Laire

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de R.-L. Aulombard.

Soutenue en 1995

à Montpellier 2 .


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Ce memoire est consacre a la mise au point du procede d'elaboration par epitaxie en phase vapeur a partir d'organometalliques (e. P. V. O. M. ) des materiaux semiconducteurs et des heterostructures iii-v basees sur gaas, ga#(#1#-#x#)al#xas et ga#(#1#-#x#)in#xas. Le premier chapitre presente la technique de croissance: principe de la methode, description du bati, conditions generales d'utilisation. Le semiconducteur gaas etudie dans le chapitre suivant sert de reference pour la suite: etude cristallographique, determination des meilleures conditions de croissance. Les parametres qui vont varier sont la temperature d'epitaxie et le rapport v/iii. C'est grace aux analyses de photoluminescence et aux mesures electriques (effet hall) qu'un choix des criteres d'elaboration a ete etabli. Deux organometalliques, le trimethylgallium et le triethylgallium ont ete experimentes. L'utilisation du triethylgallium entraine une diminution de l'incorporation du carbone. Avant d'aborder les heterostructures, il est utile de considerer l'epitaxie de ga#(#1#-#x#)al#xas. Influence de la temperature, determination de la composition par diffraction x et e. D. A. X. Dans le chapitre suivant, l'existence des superreseaux gaas/gaalas a ete prouve au travers des spectres de diffraction x. Le but est l'obtention de structures ayant des interfaces lisses et abruptes. La derniere partie concerne l'elaboration de ga#(#1#-#x#)in#xas et des heterostructures gaas/gainas. Le desaccord de maille entre gaas et inas etant de 7,2% on a pu observer suivant les domaines de composition l'apparition ou non d'une croissance par ilotage (3d). Les parametres de croissance optimum sont proches de gaas. La realisation des heterostructures a ete menee avec succes

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : [8], 181 p.
  • Annexes : 98 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 95.MON-63
  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Accessible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.