Etude du dépôt de cuivre par MOCVD pour la métallisation avancée des circuits intégrés

par Marie-José Mouche

Thèse de doctorat en Sciences. Génie des matériaux

Sous la direction de Maurice Romand.

Soutenue en 1995

à Lyon 1 .

Le président du jury était Maurice Romand.


  • Résumé

    En microelectronique, la recherche d'une miniaturisation des circuits integres toujours plus poussee implique des changements technologiques fondamentaux pour l'etape de metallisation tant au niveau du choix du materiau conducteur que de la technique de depot a maitriser. Dans ce travail, nous avons etudie le depot de cuivre par une methode chimique en phase vapeur a partir de precurseurs organometalliques (methode mocvd). Dans une premiere partie, nous avons etudie un precurseur de cuivre nouveau, tout au moins en cvd thermique dans le monde de la microelectronique, le formiate de cuivre qui a donne des resultats tres prometteurs. Dans un second temps, nous avons utilise l'hexafluoroacetylacetonate de cuivre vinyltrimethylsilane (brevete sous la denomination cupraselect), precurseur faisant presentement l'objet de nombreux travaux dans les laboratoires de recherche des grands groupes industriels. Pour ce dernier, la mise en uvre d'un plan d'experiences s'est revelee indispensable pour evaluer l'influence de tous les parametres fondamentaux regissant la formation du depot et en particulier l'etape cle de la nucleation. Dans l'un et l'autre cas, le role de l'eau vis-a-vis de cette nucleation a ete mis en evidence, la presence d'eau densifiant en effet le nombre de sites et ameliorant donc les caracteristiques du film de cuivre (resistivite et vitesse de depot)


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Informations

  • Détails : 1 vol. (242 p.)
  • Annexes : Bibliogr. pagination multiple [12] p.

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  • Bibliothèque : Université Claude Bernard (Villeurbanne, Rhône). Service commun de la documentation. BU Sciences.
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