Etudes des interfaces silicium-silicium obtenues par soudure directe de plaquettes

par Angéline Laporte

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Gérard Sarrabayrouse.

Soutenue en 1995

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    Les limitations de la filiere technologique des circuits de puissance intelligente (dans la gamme des hautes tensions, 1000v-1500v et forts courants, 1a-20a) basee sur la soudure directe sur silicium ont ete etablies. L'interface si-si n'est pas electriquement neutre et sa presence dans la partie active du composant de puissance vertical degrade sa tenue en tension et son gain en courant. Les variations de la densite de porteurs au niveau de l'interface (mesuree par spreading resistance dues a des charges ou etats d'interface positifs peuvent etre a l'origine de ces degradations. La densite de ces charges est controlee par la densite de defauts presents a l'interface (dislocations vis et a 60 analysees par microscopie electronique en transmission en vue plane), par la concentration en carbone qui peut favoriser la formation d'aggregats de siox electriquement actifs et surtout par les contraintes a l'assemblage. Le signe de ces charges est definie par le type nettoyage avant l'assemblage. Les parametres technologiques qui controlent les proprietes electriques de l'interface sont donc les contraintes a l'assemblage, les desorientations (a l'assemblage et la vicinalite des plaquettes responsables des defauts d'interface), la concentration en carbone. Lorsqu'ils sont optimises la densite d'etats aux interfaces p/p peut etre inferieure a 3. 10#1#0cm#-#2

  • Titre traduit

    Studies of the silicon-silicon interfaces obtained by directly bonded wafers


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  • Détails : 157 f

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  • Cote : B-LAP
  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1995/340/LAP
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