Etude des propriétés optiques des microstructures InGaAs/InAlAs épitaxiées sur InP

par Miguel Angel Garcia Perez

Thèse de doctorat en Electronique

Sous la direction de Taha Benyattou.


  • Résumé

    Ce travail porte sur l'étude des propriétés optiques des couches minces de InGaAs/InAlAs épitaxiées sur InP. Il comporte trois volets principaux : - La première partie de ce travail concerne l'étude des interfaces de type II dans le système InAIAs/lnP. Nos échantillons ont été élaborés par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM). Nous avons analysé la luminescence associée aux interfaces directe (InAlAs sur lnP) et inverse (InP sur InAIAs ), et nous avons pu montrer que ces interfaces n'étaient pas équivalentes. Dans la deuxième partie, nous présentons l'effet des interruptions de croissance (stabilisée en élément du groupe III) sur la qualité des interfaces dans le système ln GaAs contraint dans InAIAs accordé sur substrat InP. Dans la troisième partie, nous avons étudié les processus de relaxation élastique en fonction des conditions de croissance, dans le cas des puits quantiques d'InGaAs à forte contrainte en compression, dans des barrières d'InAIAs accordé sur substrat d'InP. L'objectif du projet dans lequel nous avons participé était d'améliorer la qualité des interfaces et les performances électroniques, afin de contribuer à l'optimisation de dispositifs HEMT. Nous avons établi les conditions de croissance idéales qui repoussent le développement d'une morphologie tridimensionnelle du mode de croissance. Pour ces deux dernières études, les échantillons ont été élaborés par épitaxie par jets moléculaires.

  • Titre traduit

    = Study of the optical properties of InGaAs/InAlAs grown on InP microstructures


  • Résumé

    In this work we have studied the optical properties of InGaAs/InAlAs thin layers grown on InP. In the frrst part of this work, we have studied the type II InAIAs/InP interfaces. Our samples were grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). We have analyzed the photoluminescence of the direct interface (InAIAs grown on InP) and of the inverse one (InP grown on InAIAs). We have shown that these interfaces are not equivalent. In the second part, we have presented the effects of growth interruption under cation stabilization, on the interface quality of strained InGaAs/InAlAs quantum wells. In the third part, we have studied the elastic relaxation processes of highly compression strained InGaAs quantum well in lattice matched InAlAs barrier. The aim of this study was to improve the interface qualities and the electronics performances, to optimize HEMT devices. W e have established the optimum growth conditions that prevents the three-dimensional morphology of the growth mode. Ail InGaAs/InAlAs samples were grown by molecular beam epitaxy (MBE).

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Informations

  • Détails : 1 vol. (171 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(1813)
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