Epitaxie par jets moleculaires de l'oxyde de magnesium sur la surface de fer (001)

par JEAN-LUC VASSENT

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de C. CHATILLON.

Soutenue en 1995

à l'INP GRENOBLE .

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  • Résumé

    Nous presentons une etude de la croissance par epitaxie par jets moleculaires d'un oxyde sur une surface metallique: mgo sur fe(001). Nous avons montre par spectrometrie de masse que l'evaporation libre de mgo a lieu sous une forme dissociee mg et o, et compare avec les flux calcules lors d'une evaporation a l'equilibre. Une approche thermodynamique semblable nous a permis d'autre part de determiner les differentes phases susceptibles d'apparaitre sur un substrat de mgo et de fer lorsque que des flux de mg et o#2 sont utilises pour la croissance. Mgo s'epitaxie sur le fer dans l'orientation (001) et croit dans un mode 2d. Le film est pseudomorphe jusqu'a une epaisseur de 4 - 5 monocouches puis le parametre de maille evolue vers celui de mgo par introduction a l'interface de dislocations de type 1/2<011>011. Nous avons compare le degre de relaxation avec celui calcule a l'equilibre lorsque les contraintes epitaxiales sont relaxees par 2 reseaux de dislocations orthogonaux et celui obtenu en considerant que la progression d'une dislocation est bloquee par la presence d'une dislocation orthogonale. La deformation elastique de la surface du film de mgo due a la presence des dislocations d'interface a ete etudiee en leed. Des satellites autour des taches de bragg apparaissent au dela de l'epaisseur critique. L'evolution de la position des satellites en fonction de l'epaisseur deposee et de l'energie primaire des electrons est en bon accord avec les calculs cinematiques d'intensite diffractee par la surface ou la deformation de la surface est determinee par le champ de deplacement d'une dislocation unique en utilisant la theorie elastique isotrope et anisotrope


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  • Détails : 129 P.
  • Annexes : 105 REF.

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