Caracterisation et modelisation du fonctionnement des transistors mos ultra-submicroniques fabriques sur films simox tres minces

par OLIVIER FAYNOT

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de S. CRISTOLOVEANU.

Soutenue en 1995

à l'INP GRENOBLE .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce memoire est consacre a la caracterisation et a la modelisation des transistors mos fabriques sur des films simox tres minces. Dans le premier chapitre, outre l'orientation de la microelectronique, nous detaillons l'interet potentiel que peut susciter la technologie soi pour les applications basse-tension. Ensuite, nous analysons les phenomenes de couplage d'interfaces apparaissant dans deux types de conduction de transistors totalement desertes: la conduction par canal d'inversion et la conduction par canal d'accumulation. Puis, les effets de canaux courts sont etudies dans l'objectif d'optimiser l'architecture des transistors soi ultra-submicroniques. Les phenomenes lies a l'ionisation par impact sont ensuite presentes pour les deux types de conduction. Un procede simple de fabrication est alors decrit et les resultats experimentaux des transistors et des circuits mettent en avant les avantages du soi pour les applications basse-tension. Le dernier chapitre est dedie a la caracterisation des phenomenes de porteurs chauds des transistors soi completement desertes


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 160 P.
  • Annexes : 160 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Accessible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.