Contribution a l'etude de la sensibilite au vieillissement des technologies soi durcies

par Éric Guichard

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de S. CRISTOLOVEANU.

Soutenue en 1995

à l'INP GRENOBLE .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Devant le developpement des technologies soi dans le domaine militaire et spatial et aujourd'hui civil, il s'agissait d'essayer de mieux comprendre les mecanismes physiques de degradation, par porteurs chauds, intervenant dans les transistors et les circuits. La specificite des transistors soi par rapport aux transistors bulk est la presence de l'oxyde enterre. Ce dernier, bien qu'apportant de nombreux avantages au fonctionnement des dispositifs, est considere, aujourd'hui encore, comme le talon d'achille des transistors soi vis a vis du vieillissement. Cependant, nous avons montre que pour les technologies futures ou la tension d'alimentation sera bien inferieure a 3v, la degradation de l'oxyde enterre disparait. La comparaison des transistors sur couche simox fine et tres epaisse (equivalente au bulk) a ete menee sur des transistors a canaux n et p. Les mecanismes physiques de base sont identiques, seule la degradation de l'oxyde enterre intervient lors du vieillissement des transistors p-mos. Un des aspects originaux de cette these est l'etude de la degradation dynamique des transistors soi. Pour ce faire, nous avons concu des circuits de test inedits, ou la caracterisation des transistors in-situ dans le circuit est possible. Ceci nous a permis de correler la degradation statique et dynamique. Le resultat principal est que la degradation dynamique reste faible: la derive de frequence, pour un oscillateur en anneau par exemple, n'atteint que quelques pourcents dans des conditions severes de vieillissement. Enfin, tout au long de notre etude, nous avons utilise l'emission lumineuse comme technique d'analyse du vieillissement des transistors et des circuits. C'est un moyen tres pratique de localiser visuellement les zones d'un circuit qui sont susceptibles de se degrader


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Informations

  • Détails : 145 P.
  • Annexes : 141 REF.

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