Etude de dispositifs passifs microondes en technologie a haute temperature critique

par DANIEL LADRET

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de M. CHILO.

Soutenue en 1995

à l'INP GRENOBLE .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Le travail expose repose sur la connaissance pragmatique des proprietes des supraconducteurs a haute temperature critique (htc) et sur les methodes de modelisation developpees au lemo ; il est possible, sur des structures planaires microondes, de prendre en compte les particularites des materiaux htc. Nous montrons et commentons les effets propres du supraconducteur ainsi que les effets induits par des metallisations proches, nous avons concu et realise un circuit passif microonde original. L'inductance interne a ete etudiee en comparant les resultats de modelisation a ceux issus de tests sur une ligne microruban inversee. Nous montrons une bonne concordance des resultats jusqu'a 0,98 tc. Les effets induits sur les pertes et la vitesse de phase par des metallisations de proximite ont ete analyses. Les resultats presentes comparent les valeurs modelisees a des donnees experimentales sur des lignes coplanaires. Nous nous sommes plus particulierement interesses au cas d'une couche supraconductrice recouverte d'un metal (bilame) et nous validons notre modelisation jusqu'a 30 ghz. Le comportement des pertes en fonction de la frequence est explique grace a l'etude sur le bilame microruban. L'etude d'un dispositif a dispersion controlee a ete conduite. Ce circuit est constitue d'une suite de coupleurs microondes mis en cascade. Dans le but de realiser un circuit en materiaux htc, la technologie utilisee est coplanaire couplee ; elle permet de s'affranchir des contraintes technologiques actuelles. La conception et la realisation d'un demonstrateur permet de valider nos simulations, dans les domaines temporel et frequentiel en tenant compte d'effets perturbateurs endemiques ; et nous montrons qu'un dispositif fonctionnel ne peut etre realise qu'a partir d'une technologie supraconductrice


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Informations

  • Détails : 143 P.
  • Annexes : 95 REF.

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