Étude non linéaire des couches minces de silice fabriquées par sol-gel et dopées avec des microcristallites de semiconducteur

par Jochen Fick

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Guy Vitrant.

Soutenue en 1995

à l'INP GRENOBLE .

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  • Résumé

    Des couches minces de sio2-tio2 dopees avec des microcristallites de cds et pbs ont ete fabriquees par la technique de sol-gel. La qualite optique de ces echantillons est tres bonne avec des pertes par propagation de l'ordre de quelques db/cm. La presence des semiconducteurs a ete prouvee par les spectres d'absorption, rayons x, tem, sims, eds et rbs. En general la taille des microcristallites est de 3-4 nm. Le deplacement de la bande d'absorption du au confinement quantique a ete observe dans les spectres d'absorption. Les proprietes non lineaires des couches ont ete mesurees en employant la technique des lignes noires non lineaires. Les echantillons presentent une forte non linearite autour de 550 nm. Les valeurs de l'indice de refraction non lineaire n2 observees sont typiquement de l'ordre de 10-8 cm2/kw sur des echantillons dopes avec pbs et cds. Des non linearites positives et negatives ont ete observees sur des differents echantillons. Des non linearites negatives de l'ordre de -3 10-7 cm2/kw ont ete mesurees sur un echantillon dope avec cds pres de la bande d'absorption (450 nm). La stabilite temporelle des proprietes non lineaires differe entre les echantillons. Une etude effectuee a 550 nm sur un echantillon dope avec cds pendant une periode de 200 jours, montre que la non linearite decroit lentement. Cette decroissance est supposee d'etre causee par l'oxydation des microcristallites de semiconducteur dans la matrice poreuse de silice


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  • Détails : 1 vol. (153 p.)
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