Epitaxie de terres rares sur semi-conducteurs ii-vi cdte et cdznte : croissance, dopage et caracterisation electrique

par DELPHINE BRUN-LE CUNFF

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de J.-F. LEGRAND.

Soutenue en 1995

à Grenoble 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail concerne l'elaboration de contacts metalliques a base de terre rare sur les semi-conducteurs ii-vi cdte et cdznte. La croissance des couches minces a ete realisee en epitaxie par jets moleculaires et nous avons mis en evidence les differentes reconstructions que presente la surface des semi-conducteurs ainsi que leur influence sur les conditions de croissance. Le dopage de type n et p des couches semi-conductrices a ete obtenu avec differents elements. Nous montrons que l'iode est un candidat plus favorable que l'indium pour le dopage n des couches de cdte et de cdznte. En ce qui concerne le dopage p a l'azote, nous avons demontre l'efficacite d'une cellule ecr mise au point au laboratoire. Le depot de terre rare sur cdte et cdznte entraine inevitablement la formation d'un compose a l'interface qui reste en relation d'epitaxie avec le substrat. Nous donnons des informations sur la composition, la morphologie et la cinetique de formation de cette couche interfaciale. Nous demontrons que la croissance coherente des terres rares europium et neodyme est realisable sur cette couche. Les caracteristiques courant-tension des jonctions terre rare/cd(zn)te:n indiquent un comportement de type ohmique avec une hauteur de barriere typiquement de l'ordre de 0. 4 ev. La plus faible valeur de la resistivite specifique de contact est mesuree a 2,5. 10#-#5. Cm#2. Nous presentons egalement une analyse des caracteristiques courant-tension et discutons le comportement observe en terme de couche dipolaire


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Informations

  • Détails : 210 P.
  • Annexes : 181 REF.

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