Contribution à l'étude d'un filtre de fréquence intermédiaire pour radiotéléphone GSM

par Omar Saaid

Thèse de doctorat en Electronique

Sous la direction de Alain Fabre.


  • Résumé

    Un circuit convoyeur de courant de seconde génération contrôlé en courant (CCCII) et réalisé à patir de cellules élémentaires sous forme translinéaire (oucle mixte et miroir de courant) est introduit. Ce circuit possède une résistance de sortie sur la voie X dont la valeur est contrôlée par le courant de polarisation. Il se caractérise en outre par une architercture relativement simple, une faible consommation et de très bonnes performances fréquentielles. Un grand nombre de fonctions électroniques ajustables, opérant soit en mode tensionsoit en mode courant et mises en oeuvre à partir de ce convoyeur contrôlé : résistances contrôlées (positives ou négatives), fonctions de transfert du premier ordre, amplificateurs à gain contrôlé et circuits convertisseurs d'impédances, sont décrites. Une méthode de linéarisation originale qui permet de multiplier la plage de linéarité à 0,1% des convoyeurs précédents par un facteur égal à 19, est proposée. Cette méthode, qui a été comparée aux méthodes de linéarisation classiques, présente plusieurs avantages. Deux circuits de simulation de self qui utilisent chacun deux convoyeurs contrôlés et trois composants passifs sont étudiés. Une méthode de compensation des effets néfastes dus aux éléments parasites des convoyeurs est introduite pour améliorer les performances fréquentielles de l'un de ces deux circuits. Un filtre sélectif de type passe bande du second ordre opérant en mode courant en haute fréquence et utilisant l'une des selfs précédentes est introduit. Les valeurs nominales de ses caractéristiques sont : gain unité à F0 = 85MHz et Q = 45. La fréquence centrale f0 de ce filtre ainsi que son coefficient de qualité Q sont réglables séparément à partir de deux courantscontinus. Les résultats de mesure éffectuées sur les circuits réalisés par SGS THOMSON en technologie HF3CMOS sont conformes aux résultats de simulation. Ils confirment la faisabilité d'un étage de fréquence intermédiaire (FI) pour radiotéléphone GSM totalement intégré sur silicium. Un étage de ce type comprenant des amplificateurs à gain contrôlé et un filtre d'ordre quatre réalisé à partir de deux cellules précédentes eb cacscade a pzermis de vérifier que la fréquence centrale de celui-ci pouvait être ajustée entre 40 MHz et 120 MHz et son coefficient de qualité entre 1 et 140.

  • Titre traduit

    High frequency high Q Bicmos current mode bandpass filter and mobile communication application


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  • Détails : 1 vol. (V-162 p.]
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. 119 réf.

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