CVD dans le système CH3SiCl3/H2: cinétiques expérimentales de dépôt de SiC et SiC+Si, modélisation

par Andrei Josiek

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de F. LANGLAIS.

Soutenue en 1995

à Bordeaux 1 .

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  • Résumé

    Le depot chimique en phase vapeur (cvd) de ceramiques a base de carbure de silicium (sic) a partir du melange ch3sic13/h2 a ete etudie pour des pressions totales et des temperatures relativement basses (p0 kpa, t75c). L'influence du temps de sejour des gaz dans la zone chaude du reacteur sur la vitesse de depot de sic a ete examinee. Une transition abrupte entre deux cinetiques de depot differentes (correspondant au depot de sic ou de sic+si), induite par variation d'un parametre experimental, a ete detectee. La localisation de l'exces de si dans le depot a ete etudiee au plan theorique et experimental

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  • Détails : 129 p

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  • Bibliothèque : Université de Bordeaux. Direction de la Documentation. Bibliothèque Sciences et Techniques.
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  • Cote : FT 95.B-1382
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