Éléments sensibles piézo-résistifs sur substrats silicium d'orientation non conventionnelle : Optimisation de la détection piézo-résistive et réalisation de corps d'épreuve par attaque chimique anisotrope

par Stéphane Durand

Thèse de doctorat en Sciences pour l'ingénieur

Sous la direction de Colette Tellier.


  • Résumé

    Ce travail de thèse s'articule sur deux thèmes principaux. Le premier est la modélisation des effets piézorésistifs linéaires et non-linéaires. Le deuxième thème concerne la caractérisation des effets d'anisotropie spécifiques à l'usinage chimique du cristal de silicium dans les solutions de potasse. Cette caractérisation géométrique constitue un préalable à la réalisation de micro-dispositifs mécaniques en silicium. Une confrontation de ces deux études devrait offrir des perspectives nouvelles dans le domaine des applications "capteurs piézo-résistifs". Dans une approche "microscopique" l'origine des effets piézorésistifs linéaires et non-linéaires est liée aux modifications des structure de bande semiconducteurs induites par les contraintes appliquées. Le modèle macroscopique tensoriel proposé dès 1960 par MASON pour décrire les effets linéaires a ensuite été étendu aux coefficients piézorésistifs non-linéaires pour les cristaux semiconducteurs de la classe m3m. Des formulations analytiques nouvelles ont été développées pour exprimer les coéfficients piézorésistifs non-linéaires équivalents associés à un repère tourné. Différents exemples d'applications sont ensuite abordés. . .


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 1 vol (179 p.)
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitre

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Bibliothèque universitaire Sciences - Sport (Besançon).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : SCI.BESA.1995.44
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.