Contribution a la caracterisation des cristaux (thm) de tellurure de cadmium par des techniques nucleaires et electriques

par LAHCEN CHIBANI

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Paul Siffert.

Soutenue en 1994

à Strasbourg 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    A partir des etudes entreprises pour mener a bien ce travail, et, en particulier, en partant des mesures realisees, on est tente de deduire que le c et le si suivent un comportement general comparable a celui des autres elements du groupe iv qui produisent notamment une compensation des niveaux actifs a des concentrations de l'ordre de 10##1#6 at. Cm##3. On a trouve des correlations entre les concentrations atomiques mesurees de si et de c et la presence des niveaux mesures par tsc. Cette correlation existe aussi avec la resistivite. Ce travail etait necessaire, car, a defaut de trouver des grandes correlations, des limites ont pu etre etablies. La presence du c et du si a tres faible concentration (1 ppm) ne laisse pas la resistivite du cdte standard (10#8-10#9). Les niveaux induits restent difficiles a assigner; la bande 0. 27-0. 29 ev semble suivre la concentration de c; la bande 0. 17-0. 19 ev accompagne en permanence le si. Nous avons developpe un systeme automatique de mesures, pour les methodes d'analyse installe au 4 mev du crn, afin de determiner des concentrations et des profils par les techniques nucleaires: nra, hixe, rbs et erda. Celui-ci complete l'equipement d'autres experiences consacrees a la physique des materiaux


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Informations

  • Détails : 134 P.
  • Annexes : 226 REF.

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  • Bibliothèque : Université de Strasbourg. Service commun de la documentation. Bibliothèque Centrale de Recherche.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1994/CHI
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