Elaboration et caracterisation structurale de couches minces si#1##xge#x obtenues par implantation ionique suivie de traitements thermiques classiques ou laser

par FLORENCE REPPLINGER

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Paul Siffert.

Soutenue en 1994

à Strasbourg 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    L'alliage si#1##xge#x offre des degres de liberte (concentration en ge, etat de contrainte) permettant d'optimiser les structures de bande en vue de l'elaboration de dispositifs micro- et opto electroniques. Dans le cadre de ce travail de these, une methode de fabrication de cet alliage differente des methodes de depot habituelles a ete etudiee. De fortes doses de germanium (10#1#7 at/cm#2) ont ete implantees dans un substrat de si cristallin ou une couche de si amorphe deposee sur sio#2. Le materiau a ete reorganise soit en phase liquide (traitement par laser a excimere pulse arf ou xecl) soit en phase solide (recuit thermique classique). Des analyses par faisceau d'ions combinees a des caracterisations optiques ont montre qu'en optimisant les conditions de preparation, il est possible d'obtenir des couches d'alliage polycristallines sur sio#2 ou monocristallines de bonne qualite contraintes sur substrat si (10%<x<17%). La redistribution du ge implante consecutive au traitement laser n'a pu etre qu'approximativement modelisee dans l'hypothese d'une diffusion classique en phase liquide


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 182 P.
  • Annexes : 143 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Strasbourg. Service commun de la documentation. Bibliothèque Centrale de Recherche.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1994/REP
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.