Etude fréquentielle de l'admittance d'une hétérojonction Ga0, 6Al0, 4As(P)/Ga0,2Al0,8As(N) sous polarisation directe

par Rajae Benamar

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Gilles Batailler.

Soutenue en 1994

à Poitiers ESIP .


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  • Résumé

    Ce memoire concerne la caracterisation electrique par l'etude frequentielle de l'admittance d'une diode electroluminescente ga#0#,#6al#0#,#4as(p)/ga#0#,#2al#0#,#8as(n) emettant dans le rouge. Les mesures sont effectuees sous polarisation directe, a la temperature ambiante pour des frequences variant entre 1 mhz et 40 mhz. Cette etude a pour but de mettre en evidence la contribution des defauts lies a un accord de maille imparfait dans ces structures. L'extension du modele de shockley aux heterojonctions a permis de calculer l'admittance liee aux phenomenes de diffusion. Cependant les resultats theoriques obtenus sont en desaccord avec les resultats experimentaux qui revelent des pics de susceptance n'existant pas dans le modele de diffusion. Le calcul de l'admittance avec prise en compte d'un niveau discret de pieges a l'interface conduit a l'existence d'un maximum local pour la susceptance. Par contre, l'hypothese de plusieurs niveaux d'energie etendus a la zone de charge d'espace presente une croissance monotone de la susceptance. La concordance du comportement theorique et experimental conduit donc a supposer la presence des niveaux discrets de pieges d'interface qui s'ajoutent aux phenomenes de diffusion. Ces niveaux sont a l'origine des phenomenes de degradation et limitent les performances de ces composants

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Informations

  • Détails : 1 vol. (117 p.)
  • Annexes : 32 réf. bibliogr

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  • Bibliothèque : Université de Poitiers. Service commun de la documentation. Section Sciences, Techniques et Sport.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 94/POIT/2281
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