Etude des proprietes du silicium amorphe hydrogene par la technique de la photoconductivite modulee a deux faisceaux

par YOUSSEF AL MERIOUH

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de J. BULLOT.

Soutenue en 1994

à Paris 11 .

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  • Résumé

    Dans ce travail la photoconductivite du silicium amorphe hydrogene est decrite comme etant le resultat de trois processus differents qui ont ete identifies en utilisant la technique de la photoconductivite modulee a deux faisceaux: l'emission des electrons pieges soit dans les liaisons brisees chargees negativement (centres d#-) ou dans la queue de bande de conduction, et un processus d'extinction lie a la recombinaison. Chaque processus suit sa propre loi de variation en fonction de la vitesse de photogeneration. Un modele a ete etabli dans lequel la somme algebrique des trois processus correspond a la photoconductivite stationnaire observee. Les contributions relatives de ces processus ont ete determinees dans un large domaine de temperature et de flux lumineux. Elles nous ont conduit a montrer premierement que l'emission thermique des electrons a partir des etats de la bande interdite, que cela soit a partir des centres d#- ou a partir de la queue de bande de conduction, reste un processus important jusqu'a 77 k, deuxiemenent que les contributions relatives des centres d#- et des etats de queue de bande changent brutalement autour de 165 k, c'est a dire quand le quasi-niveau de fermi est localise a peu pres a 0,3 ev au dessous du seuil de mobilite, troisiemement qu'a basse temperature la photoconductivite stationnaire est nettement superieure a la somme des trois processus evoques et que le transport par saut assiste thermiquement des electrons dans la queue de bande de conduction doit etre pris en compte, sa contribution a la photoconductivite etant de l'ordre de 50% a 77 k


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Informations

  • Détails : 191 P.
  • Annexes : 191 REF.

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  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-011902
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