Elaboration d'une technologie planar par reprise d'epitaxie selective par jets chimiques pour tbh gainp/gaas

par DJAMAL ZERGUINE

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Y. GULDNER.

Soutenue en 1994

à Paris 7 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Une technologie d'elaboration de transistors bipolaires a heterojonction a structure planar dans le systeme arseniure de gallium a ete etudiee. L'interet de cette technologie planar est d'accroitre la densite d'integration et la fiabilite des interconnexions metalliques pour la realisation de circuits complexes, notamment pour les telecommunications. La planarisation du transistor est assuree par un procede de reprise d'epitaxie selective vis a vis d'un masque dielectrique de la couche enterree du sous collecteur. L'isolation du dispositif est assuree par une implantation profonde de bore et proton. L'acces aux differentes couches du dispositif est assure par la realisation de contacts ohmiques, avec un metal refractaire en tungstene pour les couches de type donneur (couches superficielles de contact d'emetteur et de sous collecteur en alliage d'arseniure de gallium et d'indium), et une metallurgie en manganese-or pour la couche de base (arseniure de gallium de type accepteur, fortement dope au carbone). Les resistivites de contact obtenues sont de 10 puissance moins 6 ohm par centimetres carres. Des structures bipolaires a heterojonction phosphure de gallium et d'indium sur arseniure de gallium, a couches de base fortement dopees au carbone (dopage superieur a 4 par 10 puissance 19 atomes par centimetres cubes) avec une tres bonne stabilite thermique du dopant de base, ont ete realisees par croissance epitaxiale par jets chimiques, en utilisant des sources gazeuses organometalliques comme precurseurs des elements iii (gallium et indium) et des dopants (etain et carbone), et d'hydrures comme precurseurs des elements v (arsenic et phosphore). Un transistor planar a ete fabrique et caracterise. Ses caracteristiques electriques, statiques et dynamiques, sont presentees. Une frequence de transition de 30 gigahertz et une frequence maximale d'oscillation de 25 gigahertz ont ete obtenues sur un transistor dont les surfaces de jonction emetteur-base et collecteur-base sont respectivement de 2x15 microns carres et 6x15 microns carres


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Informations

  • Détails : 240 P.
  • Annexes : 101 REF.

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  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
  • Accessible pour le PEB
  • Cote : TS1994
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