Etude de la fluorescence x sous incidence rasante application a l'etude de la contamination chimique du silicium par les bains d'acide fluorhydrique

par LAURENT TORCHEUX

Thèse de doctorat en Chimie

Sous la direction de M. DELAMAR.

Soutenue en 1994

à Paris 7 .

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  • Résumé

    Le but de cette these est d'etudier la fluorescence x emise par un substrat sous incidence tres rasante de rayons x pour l'appliquer a la mesure de la contamination chimique de surface. Elle comprend une premiere partie ou est developpe l'aspect theorique de l'incidence rasante des rayons x et ses applications courantes pour caracteriser les surfaces. En particulier il est traite dans ce chapitre, de l'utilisation des lois de l'optique classique pour rendre compte des phenomenes d'excitation de la surface. Dans le deuxieme chapitre cette demarche theorique est confortee par des mesures experimentales de fluorescence x emise par des plans metalliques localises dans des films de langmuir-blodgett (porphyrines metalliques). A partir de cette etude il est egalement obtenu des renseignements importants sur le plan analytique concernant cette technique. Le troisieme chapitre est consacre a l'etude d'un protocole d'etalonnage destine a realiser l'analyse quantitative par fluorescence x sous incidence rasante d'impuretes situees au voisinage de la surface du silicium. Il est montre en particulier l'importance de la representativite des etalons qui doivent prendre en compte les phenomenes d'excitation de la surface decrits au premier chapitre. A partir de cette procedure d'etalonnage les limites de detection de cette analyse sont calculees puis il est montre comment obtenir des informations quantitatives fiables sur des impuretes enfouies en profondeur dans le substrat. Enfin dans le dernier chapitre, la fluorescence x sous incidence rasante est utilisee pour etudier un mecanisme de transfert d'impuretes sur les tranches de silicium a partir de solutions d'acide fluorhydrique contaminees. Il est montre dans cette partie, que par cette technique il est possible d'atteindre un mecanisme de depot de contaminants. Les informations obtenues concernent la selectivite des elements deposes, les quantites transferees et la cinetique de depot. Il a egalement ete possible de statuer sur l'existence et la dimension d'agregats sur la surface a partir de mesures de dependance angulaire de la fluorescence x sous incidence tres rasante


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Informations

  • Détails : 158 P.
  • Annexes : 139 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
  • Accessible pour le PEB
  • Cote : TS1994
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