Transport electronique a travers des barrieres semiconductrices

par HICHEM CHAABANE

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de J.-C. BOURGOIN.

Soutenue en 1994

à Paris 7 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    On a mesure le courant electronique qui circule a travers les barrieres de gaalas enterrees dans du gaas dope n#+ et des heterostructures de gainp dopees n sur du gaas dope n#+, obtenues par epitaxie par jets moleculaires ou par deposition en phase vapeur. On a etudie ces variations avec le champ electrique et la temperature dans la gamme 300 - 70 k. L'analyse des resultats montre que le transport a basse temperature (au-dessous de 150 k) a lieu par effet tunnel et suit la loi de fowler-nordheim. Les resonances dues aux reflexions de l'onde electronique sur les interfaces ont ete observees et on a pu en rendre compte quantitativement pour la premiere fois. A haute temperature, le transport est domine par un mecanisme induit par les defauts presents au voisinage de l'interface. Ce mecanisme a ete explicite grace a l'effet poole-frenkel et le defaut responsable a ete identifie. Verification a ete faite en introduisant des defauts de facon controlee par irradiation electronique


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 128 P.
  • Annexes : 178 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
  • Accessible pour le PEB
  • Cote : TS1994
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.