Contribution a l'etude de l'hydrogene dans les semi-conducteurs iii-v

par WON-SIC HAHN

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de B. CLERJAUD.

Soutenue en 1994

à Paris 6 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail presente une etude spectroscopique de l'hydrogene dans gaas et gap. Il est montre que dans les materiaux type p, le carbone se complexe a l'hydrogene. Ces complexes sont electriquement inactifs. La structure microscopique des complexes est determinee ainsi que leur dynamique. Dans les materiaux semi-isolants ou de type n, l'hydrogene se complexe a l'azote. Dans ces complexes deux atomes d'hydrogene sont lies a chaque atome d'azote. Ces complexes sont electriquement actifs ; ils peuvent exister dans trois etats differents. Les complexes carbone-hydrogene et azote-hydrogene sont utilises pour sonder les etats de charge de l'hydrogene isole diffusant. Les niveaux donneurs de l'hydrogene dans gaas et gap sont ainsi determines


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Informations

  • Détails : 179 P.
  • Annexes : 114 REF.

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1994
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