Caracterisation par ellipsometrie uv. Vis. Et spectroscopie infrarouge de films amorphes : les oxynitrures de silicium

par MURIEL FIRON

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de C. BONNELLE.

Soutenue en 1994

à Paris 6 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Les isolants (sio#2, si#3n#4) sont utilises soit pour passiver la surface des semi-conducteurs, soit pour isoler electriquement les conducteurs. L'association de sio#2 et si#3n#4 permet d'obtenir un bon isolant dont les contraintes mecaniques sont faibles: l'oxynitrure de silicium (sio#xn#y). Les proprietes physico-chimiques de ces films, deposes par plasma (pecvd), dependent essentiellement de leur composition chimique. Afin de la determiner, nous avons utilise plusieurs techniques spectroscopiques. La determination de la composition chimique par xps necessite d'eliminer la contamination superficielle des films par erosion ionique a l'argon. Cette methode est destructive et perturbe la mesure de la composition chimique. L'ellipsometrie spectroscopique uv-vis. Permet une analyse non destructive de la totalite du film. La composition chimique des oxynitrures de silicium est calculee a l'aide du modele de bruggeman. Le resultat de cette mesure n'est qu'une estimation. Dans ce modele, l'oxynitrure de silicium est considere comme un melange de deux phases distinctes (sio#2 et si#3n#4), cependant les resultats ellipsometriques sont reproductibles. Les resultats de ces deux types de mesures sont sous estimes par rapport a ceux de l'analyse par reaction nucleaire. Nous avons montre que l'analyse quantitative et l'arrangement atomique peuvent etre deduits des spectres infrarouges en transmission (films minces) et en reflexion polarisee (films ultraminces), pourvu que l'on dispose d'un modele approprie. Dans le cas du film de sio#xn#y pur, il existe des modeles qui permettent de decrire de maniere satisfaisante la repartition des atomes dans les materiaux et peuvent etre utilises pour deduire la composition chimique, a partir de la position des bandes de vibration. En pratique, de l'hydrogeene est le plus souvent present dans les films d'oxynitrure de silicium. Il est en effet difficile de s'affranchir de sa presence. Il n'existe actuellement aucun modele qui prenne en compte la presence d'hydrogene ; nous avons suggere les modifications qu'il faut apporter au modele existant pour en tenir compte


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 176 P.
  • Annexes : 133 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1994
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.