Etude du centre DX dans les superréseaux GaAs/AlAs dopés silicium

par Philippe Sellitto

Thèse de doctorat en Milieux denses et matériaux

Sous la direction de J.-L. ROBERT.

Soutenue en 1994

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    La conduction electrique dans les superreseaux gaas/alas a courte periode (p=37a) dopes silicium, est controlee principalement par les centres dx dont les differentes configurations resultent de l'environnement immediat de l'atome de silicium. Les superreseaux etudies presentent la meme periode mais different par le taux d'aluminium (x=35%, x=23%) et le dopage. Afin d'isoler les differentes configurations du centre dx, le dopant a ete introduit de maniere selective et planaire dans gaas, alas ou a l'interface. Grace a une methode d'investigation originale couplant les techniques de transport (effet hall, photohall, photoconductivite), aux techniques de hautes pressions hydrostatiques entre 0 et 15 kbar, nous avons pu mettre en evidence l'interdiffusion du dopant et effectuer une spectroscopie energetique des differentes configurations du centre dx. Par ailleurs, une modelisation de l'effet hall a ete realisee en se placant dans le modele du double donneur a u-negatif, ce qui nous a permis d'une part de quantifier l'interdiffusion, et d'autre part d'atteindre la position energetique des niveaux dx. Un autre aspect de ce travail consiste en une etude specifique des superreseaux gaas/alas en vue d'une application capteur de pression

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Informations

  • Détails : 169 f

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  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 94.MON-44
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