Etude des anomalies introduites par des perturbations électromagnétiques parvenant sur des bus d'informations reliant un microprocesseur à une mémoire externe

par Kokouvi E. Dogbe

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Bernard Démoulin.

Soutenue en 1994

à Lille 1 .


  • Résumé

    L'usage intensif de composants complexes comme les microprocesseurs dans des automatismes, permet aujourd'hui de realiser des systemes compacts et puissants. Cependant, on sait peu de choses sur le comportement de tels systemes lorsqu'ils sont immerges dans un environnement electromagnetique. Du fait de leurs complexites, l'origine des dysfonctionnements dont ils sont l'objet peuvent etre difficile a localiser voire impossible. Compte tenu de la complexite des microprocesseurs, il n'est pas envisageable de leur etendre les modeles electromagnetiques determiner pour les composants de base que sont la diode, le transistor bipolaire et le transistor a effet de champ. Cette these propose une approche experimentale pour l'etude de la susceptibilite electromagnetique d'un microprocesseur. Elle est axee sur la comprehension des mecanismes d'erreurs sur les informations (adresses/donnees) echangees par un microprocesseur et une memoire externe; et ce suite a l'impact d'une perturbation electromagnetique. Pour tester la susceptibilite du microprocesseur, nous avons opte pour une approche harmonique bien que la majorite des perturbations soient de type transitoire; ceci parce qu'il n'existe aucune correlation temporelle entre l'instant d'apparition de la perturbation et celui de validation des adresses et/ou des donnees. Essentiellement deux types de perturbations ont ete etudiees: 1) la perturbation par injection de courant; 2) la perturbation par injection de tension. Cette etude a montre que l'origine des erreurs, sur les adresses et les donnees en injection de tension, est essentiellement liee a la perturbation des etats statiques. Alors qu'en injection de courant, les erreurs obtenues sur l'adresse peuvent, sous certaines conditions, etre etroitement liees a la valeur initiale de la tension sur l'etat haute impedance ayant precede l'apparition de l'adresse. La quasi-totalite des erreurs observees, tant sur les adresses que sur les donnees, sont de type fugitives. Il est par consequent necessaire de determiner leur evolution (probabilite d'apparition) en fonction de l'amplitude et de la frequence d'un perturbateur donne. Une etude statistique sur un nombre important de sequences adresse-donnee a montre qu'en presence d'une perturbation en injection de tension, par exemple, et pour des composants de technologie cmos, les erreurs sur les donnees apparaissent avant celles sur les adresses; et ce bien que ces informations se succedent sur le bus multiplexe du microprocesseur.


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Informations

  • Détails : 1 vol. (169 p.)
  • Annexes : Bibliogr. à la fin des chapitres

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  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1994-212
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