Réseaux transitoires dans les semiconducteurs sous forte excitation photonique

par Nathalie Gouaichault

Thèse de doctorat en Physique des solides

Sous la direction de M. PUGNET.

Soutenue en 1994

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    Ce manuscrit presente l'etude des reseaux transitoires generes en regime picoseconde dans divers semiconducteurs iii-v et ii-vi, a la temperature ambiante et sous forte excitation photonique. Les reseaux epais sont generes a 1,064 m par absorption a un photon via les centres profonds et/ou par absorption a deux photons. Nous montrons que dans nos echantillons (gaas ou cdznte dopes ou non dopes), ce sont les reseaux d'indice dus aux porteurs libres qui controlent les phenomenes de diffraction observes. Nous avons etabli un modele expliquant la stabilisation du signal diffracte au cours du temps (observee dans gaas:cr). Ce modele repose sur la stabilisation des modulations de densite de porteurs libres par les centres profonds. D'autre part, nous avons montre, theoriquement et experimentalement, qu'il est possible d'effacer instantanement ces reseaux (echelle picoseconde) en les eclairant de facon uniforme. Les reseaux minces sont photogeneres a 532 nm par absorption bande-a-bande dans des couches minces de gaalas. La cinetique de decroissance des reseaux presente deux parties distinctes, l'une rapide, que nous avons attribue a la decroissance des reseaux de porteurs libres principalement par recombinaison auger et a la surface, l'autre lente que nous avons attribue a la diffusion de la chaleur


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  • Détails : [9]-140 f

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