Le glissement des dislocations, une méthode de découpe d'un puits quantique en lignes quantiques. Application à GaAs/AlxGa1-xAs

par Cathy Guasch

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Jean-Pierre Peyrade.

Soutenue en 1994

à Toulouse, INSA .


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Nous proposons une methode de fabrication de lignes quantiques, basee sur les decalages que produit le glissement des dislocations dans un cristal. Nous definissons les conditions d'application de cette methode a un substrat de gaas classique dont la surface est orientee (001), puis a un puits quantique de gaas de 5 nm entre deux barrieres de al(x)ga(1-x)as, depose sur un subtrat de gaas du meme type. Les observations en microscopie a force atomique et en microscopie electronique en transmission permettent de verifier l'efficacite de la methode. Les effets d'une forte deformation, obtenue par flexion trois points, sont ensuite observes en photoluminescence, excitation de la photoluminescence et spectroscopie raman, et sont correles aux observations de microscopie a force atomique. Ces principaux resultats sont interpretes par la decoupe du puits quantique en lignes quantiques dont la largeur evolue depuis une valeur infinie vers une valeur minimale d'environ 30 nanometres au maximum de deformation. Nous montrons qu'il est necessaire d'exploiter le debut de la deformation, afin de controler la distance entre les glissements, et leur hauteur. Nous proposons deux methodes simples pour tenter de localiser les sources de dislocations

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : [6]-152-[5] p

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1994/297/GUA
  • Bibliothèque :
  • Accessible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.