Implantation ionique de bore dans du silicium préamorphisé : réalisation, modélisation et caractérisation de jonctions p+/n ultra-minces

par Christian. Bergaud

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de A. Martinez.

Soutenue en 1994

à Toulouse, INSA .


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Ce memoire presente une contribution a l'etude de la formation de jonctions ultra-minces par implantation de bore dans du silicium preamorphise suivie d'un recuit thermique rapide. Dans une premiere partie, nous rappelons les avantages apportes par une etape de preamorphisation: suppression des effets de canalisation du bore et activation electrique complete des dopants. Malheureusement, lors du recuit, des defauts etendus, appeles defauts eor, apparaissent sous l'ancienne interface silicium amorphe/silicium cristallin. Nous avons identifie ces defauts dans la deuxieme partie de notre travail: il s'agit de boucles de dislocation circulaires fautees et de boucles parfaites allongees toutes de nature interstitielle et contenues dans des plans (111). Nous montrons egalement que seul le modele des exces d'interstitiels permet d'expliquer semiquantitativement la variation de la densite de ces boucles en fonction des conditions de preamorphisation. Nous avons mis en evidence en comparant des profils de diffusion issus de simulations et des profils sims, l'influence des defauts eor sur la diffusion du bore: diffusion anormale et piegeage du bore. Nous proposons un modele simple qui permet de rendre compte de ces effets sur la diffusion du bore. Enfin, nous avons caracterise electriquement en fonction de la temperature des diodes p+/n et nous montrons que les defauts eor situes dans la zone active de la jonction jouent le role de centres recombinants et sont responsables de l'augmentation du courant en inverse. Tous ces resultats nous ont permis de proposer les conditions de preamorphisation, d'implantation et de recuit conduisant a la formation de jonctions p+/n tres performantes (facteur d'idealite de 1,02 et une valeur du courant inverse a -10v de 5 10-#9 a/cm#2)

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : [6]-152 f
  • Annexes : 116 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Moyens Informatiques et Multimédia. Information.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : G-BER
  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1994/312/BER
  • Bibliothèque :
  • Accessible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.