Contribution aux caracterisations electriques et thermiques des transistors de puissance a grille isolee

par EBRAHIM FARJAH

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de René Perret.

Soutenue en 1994

à l'INP GRENOBLE .

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  • Résumé

    L'igbt est bien adapte aux applications de moyenne puissance. La tendance actuelle est l'amelioration de ses possibilites tant au niveau de la tension et du courant admissibles qu'au niveau de la frequence de fonctionnement. Ce transistor dans un avenir tres proche devrait remplacer bon nombre de composants. Une meilleure connaissance de l'igbt passe par sa caracterisation electrique et thermique precise, afin d'ameliorer la conception des convertisseurs modernes de l'electronique de puissance. Dans ce travail, nous avons effectue une etude detaillee des differentes methodes de caracterisation des composants semiconducteurs et plus particulierement de l'igbt. Pour arriver a ce but, nous avons developpe et/ou utilise des programmes de calcul et des logiciels ayant trait aux domaines electrique et thermique. Dans certains cas, un modele comportemental, ou le composant est considere comme une boite noire est etudie par ses entrees et sorties, est suffisant. Finalement, comme les caracteristiques electriques et thermiques de l'igbt sont fortement couplees, nous avons etudie plusieurs manieres de prendre en compte ce phenomene dans des outils de simulation


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Informations

  • Détails : 180 P.
  • Annexes : 107 REF.

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