Quelques proprietes physique intrinseques des siliciures metalliques et semiconducteurs

par ULRICH GOTTLIER

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de OLIVIER LABORDE.

Soutenue en 1994

à l'INP GRENOBLE .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Dans la premiere partie nous decrivons la mise au point d'une experience de mesures de transport a basses temperatures. Nous avons construit un dispositif experimental qui permet de piloter la rotation de l'echantillon a basse temperature sous fort champ magnetique a partir de l'exterieur du cryostat. La deuxieme partie de la these est consacree a l'etude systematique des siliciures isostructuraux et isoelectroniques vsi#2, nbsi#2 et tasi#2. Les echantillons sont monocristallins. Les trois composes sont metalliques et leur resistivite a haute temperature est anisotrope. Des mesures de magnetoresistance nous ont permis d'explorer la surface de fermi de nbsi#2. Des mesures de chaleur specifique a tres basse temperature revelent que la densite d'etats electronique au niveau de fermi est deux fois plus elevee pour vsi#2 que pour les deux autres siliciures. Les temperatures de debye des trois composes varient en fonction de m##1#/#2 (m: masse molaire) indiquant que les forces interatomiques sont identiques. Nbsi#2 et tasi#2 sont supraconducteurs en dessous respectivement 130 mk et 353 mk. Des mesures de susceptibilite montrent que vsi#2 est paramagnetique, nbsi#2 et tasi#2 sont diamagnetiques. Les spectres de phonons obtenus par des mesures de spectroscopie de pointes sont en bon accord avec les temperatures de debye obtenues par les autres methodes. Des etudes sur les proprietes de transport des siliciures semiconducteurs crsi#2, resi#1#,#7#5 et ru#2si#3 sont decrites dans le troisieme chapitre. La preparation de monocristaux de ces materiaux est plus difficile que celle des siliciures metalliques. La resistivite des trois composes est anisotrope. Ru#2si#3 et resi#1#,#7#5 se comportent comme des semiconducteurs dopes en regime extrinseque. Crsi#2 montre plutot le comportement d'un mauvais metal. La magnetoresistance de ru#2si#3 a basse temperature peut s'interpreter dans un modele de localisation faible ou les interactions electron-electron sont dominantes


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 260 P.
  • Annexes : 85 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Accessible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.