1994-09-30T23:59:59Z
2024-03-26T23:43:59Z
Étude des effets parasites électriques et thermiques intervenant dans le fonctionnement des transistors sur isolant (SOI)
1994
1994-01-01
L'objectif de cette these est d'etudier les phenomenes parasites intervenant dans le fonctionnement electrique des transistors soi. La specificite de ces derniers par rapport aux transistors sur substrat massif est la presence de l'oxyde enterre. Ce dernier apporte de nombreux avantages au fonctionnement des dispositifs, neanmoins, il constitue un obstacle a l'evacuation des courants de fuite et de la chaleur dissipee localement. Il en resulte un auto-echauffement des dispositifs. Dans le premier chapitre, nous avons presente les differentes filieres soi et leurs principales applications. Le deuxieme chapitre est consacre a l'etude du comportement des dispositifs soi en temperature. Les origines et les consequences de l'elevation de temperature locale sont detaillees dans la quatrieme partie. Nous donnons un modele thermique de l'auto-echauffement et une approche analytique pour l'extraction des parametres. L'impact de cet effet sur le fonctionnement electrique des futurs dispositifs a ete evaluee a partir du modele elabore. Enfin, compte tenu de la combinaison des effets thermiques et electriques dans le fonctionnement des transistors, nous avons consacre le quatrieme chapitre a decorreler ces phenomenes pour les modes de fonctionnement statique et dynamique
Sciences appliquees
Electronique
Etude theorique
Modelisation
Propriete electrique
Regime transitoire
Effet temperature
Comportement thermique
Autoechauffement
Courant fuite
Transistor
Technologie silicium sur isolant
Effet parasite
Theoretical study
Modeling
Electrical properties
Unsteady state
Temperature effect
Thermal behavior
Self heating
Leakage current
Transistor
Silicon on insulator technology
Yachou, Driss
Herino, Roland
Grenoble 1
Centre d'études nucléaires (Grenoble1956-2006)