Etude des effets parasites électriques et thermiques intervenant dans le fonctionnement des transistors sur isolant (SOI)

par Driss Yachou

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de Roland Herino.

Soutenue en 1994

à l'Université Joseph Fourier (Grenoble) .

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  • Résumé

    L'objectif de cette these est d'etudier les phenomenes parasites intervenant dans le fonctionnement electrique des transistors soi. La specificite de ces derniers par rapport aux transistors sur substrat massif est la presence de l'oxyde enterre. Ce dernier apporte de nombreux avantages au fonctionnement des dispositifs, neanmoins, il constitue un obstacle a l'evacuation des courants de fuite et de la chaleur dissipee localement. Il en resulte un auto-echauffement des dispositifs. Dans le premier chapitre, nous avons presente les differentes filieres soi et leurs principales applications. Le deuxieme chapitre est consacre a l'etude du comportement des dispositifs soi en temperature. Les origines et les consequences de l'elevation de temperature locale sont detaillees dans la quatrieme partie. Nous donnons un modele thermique de l'auto-echauffement et une approche analytique pour l'extraction des parametres. L'impact de cet effet sur le fonctionnement electrique des futurs dispositifs a ete evaluee a partir du modele elabore. Enfin, compte tenu de la combinaison des effets thermiques et electriques dans le fonctionnement des transistors, nous avons consacre le quatrieme chapitre a decorreler ces phenomenes pour les modes de fonctionnement statique et dynamique

  • Titre traduit

    Study of electrical and thermal parasitic effects in soi transistors operation


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  • Détails : 1 vol. (140 p.)

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire Joseph-Fourier.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire Joseph-Fourier.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 94/GRE1/0035
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