Reacteur de depot assiste d'un plasma hyperfrequence pour deposer des couches minces d'oxyde de silicium planarisees

par THIERRY SINDZINGRE

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de DENEUVILLE.

Soutenue en 1994

à l'Université Joseph Fourier (Grenoble) .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Le developpement des futures filieres de fabrication des composants electroniques requiert la maitrise d'un procede de depot de materiau dielectrique planarisant, capable de remplir des tranchees et d'aplanir les reliefs presents a la surface des circuits. Le but de cette these est de concevoir et d'evaluer les performances d'un nouveau reacteur de depot chimique en phase vapeur assiste par un plasma capable de repondre a ce besoin en deposant des couches minces d'oxyde de silicium planarisees. Ce reacteur met en oeuvre simultanement un plasma, entretenu par une onde de surface generee par des ondes electromagnetiques de la gamme des hyperfrequences, et un bombardement ionique du substrat controle par une polarisation radiofrequence. La phase gazeuse est un melange d'argon, d'oxygene et de silane, le silane etant injecte independamment des deux autres gaz, juste au dessus du substrat. Les conditions operatoires des depots ont ete optimisees pour obtenir le meilleur compromis entre la vitesse de depot, l'uniformite en epaisseur des couches minces sur des substrats de diametre 4 pouces, leur qualite et leur aptitude a la planarisation. Les conditions les plus favorables sont celles qui utilisent une polarisation radiofrequence de puissance comprise entre 100 w et 150 w et les valeurs elevees de la grandeur r definie par le rapport du debit d'oxygene sur le debit de silane (r plus grand que 4). Dans ces conditions, les proprietes physico-chimiques des couches minces sont voisines de celles de la silice thermique (stoechiometrie proche de 2) et l'aptitude au remplissage des tranchees est largement satisfaisante pour les futures filieres technologiques 0,35 et 0,25 micron. Cependant, il est parfois difficile d'obtenir une surface parfaitement plane.

  • Titre traduit

    Microwave plasma assisted enhanced chemical vapor deposition apparatus for the deposition of planarized silicon oxide layers


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 173 P.
  • Annexes : 150 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque :
  • Accessible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.