Étude du comportement non linéaire et de la dégradation de transistors à effet de champ faible bruit soumis à une surcharge microonde

par Didier Lazaro

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Jean-Claude Mollier.

Soutenue en 1994

à Toulouse, ENSAE .


  • Résumé

    L'influence de surcharges micro-ondes de fort niveau sur des transistors à effet de champ faible a été étudiée. Un banc de test de caractérisation statique et dynamique du composant avant at après chaque impulsion a été mis au point au CERT/DERMO et a permis de mettre en évidence tois phases de dégradation (temporaire, graduelle et catastrophique) ainsi qu'une phase de guérison apparente. Des différences de comportements sont apparues entre HEMTs et MEFETs inhérentes à la technologie du transistor. L'influence de surcharges micro-ondes permanentes a également été étudiée expérimentalement et théoriquement à l'aide d'une modélisation non linéaire qui décrit le comportement du composant actif jusqu'à des niveaux d'entrée de 500 mW. L'importance de l'environnement électrique du transistor a été mise en évidence par ses effets sur le fonctionnement non linéaire du composant et sur sa puissance critique de dégradation.

  • Titre traduit

    Study of non linear behaviour and degradation of low noise field effect transistors overstressed by microwave signal


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Informations

  • Détails : 1 vol. ([7]-235 p.)
  • Annexes : Bibliogr. 52 ref.

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  • Bibliothèque : ISAE-SUPAERO Institut Supérieur de l'Aéronautique et de l'Espace. Service documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1994/149 LAZ
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