Contribution à l'étude des propriétés électriques d'hétérojonctions à base d'InP épitaxié par HVPE. Réalisation de contacts ohmiques et Schottky

par Dong-Zu Kim

Thèse de doctorat en Sciences physiques, électronique

Sous la direction de François Barbarin.

Soutenue en 1994

à Clermont-Ferrand 2 .

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  • Résumé

    Ce travail porte sur la realisation des structures de contacts ohmiques et schottky pour la caracterisation electrique d'heterostructures a base d'inp realisees par hvpe. La realisation de contacts ohmiques de resistivites de contact faibles par une methode d'evaporation thermique par des recuits successifs: contacts ohmiques realises: contacts a base d'augeni sur inp(n), a base de zn sur inp(p), ni/inp(n) et ni/inp(p). La realisation de contacts schottky de bonne qualite (facteur d'idealite proche de 1, hauteur de barriere elevee, resistance serie negligeable) destines a caracteriser des heterostructures pour des puits quantiques contraints: contacts schottky realises: contacts schottky a base d'ag, sur le substrat massif et epitaxie sur inp(n), a base de cd sur inp(n) et a base de zn sur le substrat massif et epitaxie sur inp(n)


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  • Détails : 1 vol. (176 f.)
  • Annexes : Bibliogr. f. 152-158, 81 REF.

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  • Bibliothèque : Université Blaise Pascal. Département de physique. Bibliothèque.
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  • Cote : E239
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